11月14日环卫招投标速递:27个项目含10个千万级项目

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结构和化学成像确定了{110}界面垂直于(001)层平面,招投在整个厚度的10 nm范围内横向定位和清晰。c)单色STEM-EELS光谱线扫描(空间步长Δ=20纳米),标速包括在多层SnS和GeS之间的横向界面上测量的全部EEL光谱(在a中的十字线点)。

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阴极发光光谱为电子-空穴对在横向界面上的转移提供了证据,项目表明共价拼接具有高电子质量和低密度的复合中心。千万e)d所示的GeS-SnS异质结构进行拉曼光谱扫描。g)横向界面(IF,环卫含a中的虚线)的EDS线轮廓,显示阳离子(Sn(红色)。

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欢迎大家到材料人宣传科技成果并对文献进行深入解读,招投投稿邮箱[email protected]。标速d)来自异质结构中心区域的纳米束电子衍射图案(e中的红色方块)。

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项目放大图像显示了厚{110}多面异质结构的SnS核心和GeS边缘之间的特征光学对比度。

不同的二维晶体,千万包括石墨烯-hBN和一些过渡金属二硫化物,已经开发出了横向集成的生长工艺。环卫含相关研究成果以AchievingUltralowLatticeThermalConductivityandHighThermoelectricPerformanceinGeTeAlloysviaIntroducingCu2TeNanocrystalsandResonantLevelDoping为题在国际著名期刊《ACSNano》在线发表(https://doi.org/10.1021/acsnano.1c05650,影响因子15.88)。

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重含量Cu掺杂可以在GeTe中获得Cu2Te纳米晶第二相,项目Cu2Te纳米晶形成声子散射中心调控GeTe的声子输运过程,项目使Ge0.9In0.015Cu0.125Te材料的晶格热导率在823K下降到0.31Wm-1K-1,低于理论计算的GeTe材料非晶极限值。同时In掺杂在GeTe费米能级附近产生共振态能级,千万能够提升材料的塞贝克系数,千万In、Cu双掺还能显著提高GeTe材料载流子迁移率,从而使材料功率因子显著提升,将GeTe材料的热电优值ZT提升至2.0。

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